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Low Voltage MOSFET产品拥有常规的 Trench Process和 Split Gate Trench Process。 Split Gate Trench MOSFET不仅Low Qg, Low RDS(on), Fast Switching,Ruggedness特性更是它的优点。 这种特性不仅支持System的小型化、低损耗设计，还支持稳定的设计。 使用不足200V的多种电压群和多种 PDFN类的 Power SMD Packge，拥有可适用于各种电源、电动机等的多种系列。