Low Voltage MOSFET製品は、一般的なTrench ProcessとSplit Gate Trench Processを保有しています。 Split Gate Trench MOSFETは、Low Qg、Low RDS(on)、Fast Switchingでありながら、高いRuggedness特性が長所です。 このような特性はSystemの小型化、低損失設計をサポートするだけでなく、安定的な設計をサポートします。 200V未満の多様な電圧群と、多様なPDFN類のPower SMD Packgeを使用し、各種電源、モーターなどに適用できる多様なラインナップを保有しています。
High Voltage MOSFET製品は、Planar ProcessとSuper Junction Processを保有しています。 Super Junction MOSFETは、高い電力密度、Low Qg、Fast Switching特性により、Systemの低電力設計だけでなく、Low EMI実現が可能になることで、ユーザーの設計の利便性を高めることができます。 各種電源機器に適用できる豊富な製品ラインアップとパッケージを備えています。
Low Voltage MOSFET製品は、一般的なTrench ProcessとSplit Gate Trench Processを保有しています。 Split Gate Trench MOSFETは、Low Qg、Low RDS(on)、Fast Switchingでありながら、高いRuggedness特性が長所です。 このような特性はSystemの小型化、低損失設計をサポートするだけでなく、安定的な設計をサポートします。 200V未満の多様な電圧群と、多様なPDFN類のPower SMD Packgeを使用し、各種電源、モーターなどに適用できる多様なラインナップを保有しています。
Leadless typeの超小型 package(1006size)Line-upを保有するS-MOSFET製品群は、小型スマート機器と家電及び電装用小型モジュール設計に最適化されており、Zener diode内蔵のため、高いESD容量と低いRDS(on)でシステムの安定性をサポートしています。 Level Shift、信号伝達、Gate driveなどに適用が可能で、幅広いPackage Line upをご提供します。
