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KECのSiC(Silicon Carbide)Shottky Barrier Diodeは、次世代電力半導体として逆回復電流(Reverse Recovery Currenet)やスイッチング損失(Swiching Loss)のない優れた性能を示しています。KECは、650Vから1200Vまでの幅広いフォートポリオを取り揃えており、UPS、Solar Inverter、EV Chargingなどの様々なApplicationに適合するSiC SBDを提供しています。