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Quality & Reliability

신뢰성 테스트

신뢰성의 개념과 척도

소자의 신뢰성이란 그것이 부품의 일부로서 기기에 사용될 때 “목적으로 하는 기능을 지정된 시간 동안 고장 없이 발휘할 수 있을 것”이라고 정의할 수가 있다. 신뢰성을 정량적으로 표현한다면 신뢰도나 또는 고장율로 표현할 수가 있고 시간을 하나의 변수로 하는 분포 함수로 표현하여 지수 분포, Wieble 분포가 반도체에서는 주로 적용된다. 아래 그래프는 일반 전자 부품과 반도체 제품에 발생하는 고장에 대해 시간을 파라메터로 표현한 것으로 어떤 일정한 경향을 가지고 있다는 것이 잘 알려져 있다.

표1. 시간의 경과에 따른 고장 발생률 관계

고장기(Initial Failure Period) 우발 고장기(Random Failure Period) 마모 고장기(Wearout Failure Period) 라고 불린다.

특히 반도체 제품은 우발 고장기에 고장의 발생율이 점감현상(漸減現狀)을 보이는 것이 특징이라고 할 수가 있으나 이때의 고장은 우발적으로 발생하는 것을 의미하므로 이러한 고장의 발생을 최소화하는 것이 중요한 과제이다.

반도체 제품의 신뢰도를 표현할 때는 여러 가지 분포 함수를 이용하여 근사적으로 표현하며 전자 부품의 수명 분포의 형태인 지수 분포를 가정하는 경우에는 신뢰도 함수 R(t)는 다음의 식으로 표현된다.

R(t) = exp(-λt)
또 순간 고장율 λ(t)와 평균수명μ는 다음과 같이 나타낼 수 있다.
λ(t) = λ(시간의 경과에 관계없이 일정)

μ = 1/λ = MTTF
통상 반도체 제품의 고장율은 시간(t) = 1,000 시간을 기준으로 %/1,000시간으로 표현하는 것이 일반적이다. 또 필드 데이터나 고장율 예측에서는 고장이 매우 적고 고장율이 낮으므로 이 값의 1/104 배 즉, 10-4(%/1,000시간) = 10-9(고장/시간)를 1Fit라고 하는 단위로 표현한다.

신뢰성의 요인

반도체 소자의 신뢰성은 소자 자체뿐만 아니라 필연적으로 가해지는 동작상의 스트레스와 환경상의 스트레스도 중요하게 취급하지 않으면 안 된다.
이러한 스트레스는 상호간에 밀접한 관계가 있으므로 보다 신뢰도 높게 사용하기 위해서 여러 가지 요인들 중에서 보다 중요한 요인에 관하여 설명한다.

동작요건

반도체에 인가하는 전압, 전류나 기기에 사용되는 환경 조건은 신뢰도를 좌우하는 큰 요인이다. 목적으로 하는 회로에 따라 적정한 소자의 선택과 회로 설계에 의하여 알맞는 동작점을 설정하지 않으면 안 된다.
집적회로의 고장율은 온도에 크게 영향을 받는 다는 것은 잘 알려진 바와 같고 온도가 높아짐에 따라서 고장율도 증대된다.
그러나 소신호용 집적회로는 인가되는 전압, 전류가 작으므로 특수한 회로를 제외하고는 온도에 대하여 크게 우려하지 않아도 좋다고 말할 수가 있다. 오히려 서지 전압의 인가나 특성의 편차에 주목하여 설계를 할 때 특성 변동의 허용 한계를 확인하고 여유를 줄 수가 있다면 소자의 수명 더 나아가서는 기기의 수명을 대폭 연장할 수가 있다. 한편 비교적 큰 전압과 전류를 인가하는 전력용 집적회로는 전압보다 전류가 크므로 소자 자체에서의 소비 전력이 매우 크다. 이때의 전력 소비는 집적회로의 자체 발열을 일으켜 특성적으로도 신뢰성적 측면에서도 좋지 않으므로 방열을 신경 쓰지 않으면 안 된다.
집적회로를 신뢰도 높게 사용하기 위하여서는 최대 정격으로 규정된 전압, 전류, 온도에 대하여 체감하여 사용하는 것이 좋다.
그러나 체감은 신뢰성과 경제성과의 타협점이 있으므로 일률적으로 얼마를 체감하라고 하는 것은 곤란하나 통상 다음과 같이 체감하는 것이 표준이라고 말할 수가 있다.

전압최대 정격의 70~80% 또는 그 이하

전력최대 정격의 50%이하

전류최대 정격의 80%이하

온도최대 정격의 70~80% 또는 그 이하

이러한 체감에 관하여 일부의 관청이나 기관에서는 사용 기준이나 설계 기준을 제정하여 사용 범위를 제한하고 있는 경우도 있다.

소자의 편차

제조 공정에 있어서 자동화나 제조 기술의 향상은 눈부실 정도로 발전과 적극적인 신기술의 도입으로 품질과 신뢰성은 매년 향상을 거듭하고 있다.
따라서 공정의 완전 자동화는 말할 것도 없고 새로운 관리 기법의 도입 등으로 품질의 편차는 거의 없는 것에 가깝다고 말할 수가 있다.
그러나 반도체 제품은 그 형상, 구조, 치수가 매우 작고 물리적, 화학적인 기술을 기초로 하여 고정도의 제어 관리에 의한 정밀 기술로 만들어지지만 그 어떤 조그만 편차라도 특성에 미치는 영향은 매우 크고 최신 기술을 구사한다 해도 균일성을 유지한다는 것은 어려운 것이 현실이다.

내환경성

제품의 케이스는 플라스틱 수지 봉지형(樹脂封止形)과 금속 등에 의한 기밀 봉지형(氣密封止形)의 두 가지로 크게 나누어진다.
최근에는 가격이 저렴하고 생산성이 높은 플라스틱 수지 봉지형이 주류를 이루고 있으며 소신호용에서 대전력용까지 응용 영역이 넓어져 가고 있다.
이것은 기계적 강도가 크고 전기적 절연성, 내환경성이 뛰어난 수지의 개발과 성형 기술이나 표면 처리 기술의 발달에 의한 것으로 이로 인하여 비약적인 신뢰성의 향상이 가능하게 되었다.
현상적으로는 시장의 환경에도 기인하나 특수한 환경을 제외하면 금속 기밀 봉지형과 동등한 수준의 신뢰성을 실현할 수가 있다.
그러나 플라스틱 수지형은 기밀 봉지형이 아니어서 습기가 수지를 통하여 내부에 침투하므로 기기나 시스템의 사용하려 하는 환경이 사전에 예측 가능하다면 특별히 내환경성(耐環境性)이 요구되는 경우에는 금속 기밀 봉지형을 사용하는 것이 좋다.
반도체 제품은 먼지나 유해 가스, 소금기, 방사선 등의 분위기에 직접 노출하면 특성 불안정이나 열화, 리드 부위의 부식 등을 일으키는 주된 원인이 되므로 주의할 필요가 있다.

신뢰성 테스트의 종류
종류 내용 규격
연속동작 수명시험 소자를 장시간에 걸쳐 전기적 Stress(전압, 전류) 및 온도 Stress(부하에 의한 온도 상승 포함)를 주어 내성을 평가한다.

JESD22-A108

JIS C7021 B-4

MIL-STD 883E-105

Discrete 시험 조건 Discrete Test Condition

Ta = 25℃ VC = VCEO MAX × 0.7, PC = PC MAX, 1008Hr

IC 시험 조건 IC Test Condition

Ta = TOPR MAX, PD = PD MAX, 1008HR

고온동작 수명시험 소자를 장시간에 걸쳐 전기적(전압,전류) 및 고온 환경에서 Stress를 주어 내성을 평가한다.

JESD22-A108

JEP47

 IC 시험 조건 IC Test Condition

TJ≥125℃ 또는 Topr max, VIN=VIN MAX 또는 Pd Max, 1000HR

단속동작 수명시험 소자를 단속적으로 통전하여 온(On)상태와 오프(Off)상태에 상당하는 온도의 상승과 하강에 대해 전기적 조건을 인가하여 소자의 전기적, 기계적 성능을 평가한다

MIL-STD 750D

JIS C7021 B-6

Ta = 25℃, ON/OFF Operation, △Tj≥100℃, Rated Cycles

고온 역바이어스 수명시험 소자를 장시간에 걸쳐 전기적 Stress(역전압) 및 온도 Stress(Ta = TJ MAX)를 주어 내성을 평가한다.

JESD22-A108

JIS C7021 B-8

(Ta = TJ MAX)

Ta = TJ MAX, VCB = VCBO MAX × 0.8, 1008Hr

고온 고습 역바이어스 수명시험 소자를 장시간 동안 전기적 스트레스를(역바이어스) 고온(85℃), 고습(85%RH) 환경 조건을 인가하여 소자의 전기적, 기계적 성능을 평가한다.

JESD22-A101

Ta = 85℃, RH = 85%, V(reverse) MAX × 0.8, 1000Hr

온도 습도 바이어스 수명시험 소자를 장시간 동안 전기적 Stress를 고온(85℃),, 고습(85%RH) 환경 조건을 인가하여 소자의 전기적, 기계적 성능을 평가한다.

JESD22-A101

JEP47

IC Test Condition

Ta = 85℃, RH = 85%, VIN MAX × 0.8, 1000Hr

고온보존 수명시험 소자를 고온에서 방치하는 경우 내성을 평가한다.

JESD22-A103

JIS C7021 B-10

Ta = TSTG MAX, 1000Hr

저온보존 수명시험 소자를 저온에서 방치하는 경우 내성을 평가한다.

JESD22-A119

JIS C7021 B-12

Ta = TSTG MAX, 1008Hr

고온.고습보존수명시험 소자를 고온. 고습도에서 장시간 사용 및 보관(방치)하였을 경우 내성을 평가한다.

JESD22-A101

JIS C7021 B-11

Ta = 85℃, RH = 85%

납 내열성시험 소자를 납땜 작업중에 받는 열(熱)에 대한 내성을 평가한다.

JESD-B106

J-STD-020

JIS C7021 A-1

THD 시험 조건 : TSOL = 400℃, 3초 Dip

SMD 시험조건

Ta = 150℃, 24Hr Ta = 85℃, RH = 85%, 168Hr

TSOL = 265℃, 10초 Dip

온도 사이클 시험 (기체) 소자를 고온 또는 저온에 노출했을 때 내열 및 내한성을 평가한다.

JESD22-A104

JIS C7021 A-4

Ta = TSTG MIN  TSTG MAX, 200Cycle

증기가압시험 Package에 대한 기밀성을 평가한다.

JESD22-A102

JIS C7021 A-6

Ta = 121℃, RH = 100%, 2.0atm, 96 Hours

납부착성 시험 단자의 납 부착성을 평가한다.

JESD22-B102

JIS C7021 A-2

Ta = 95℃, RH = 95%, 8Hr Aging  TSOL = 245℃ , 5sec

단자강도시험 소자가 실장 또는 사용 중 단자에 가해지는 힘에 견딜 수 있는가를 평가한다.

JESD22-B105

JIS C7021 A-11

Angle = 45˚, 3회

염수분무시험 소자의 염수 분무에 대한 내부식성을 평가한다.

JESD22-A107

JIS C7021 A-12

Ta = 35℃, Salt Sol = 5%, 24Hr Spray

신뢰성 시험 규격
JEDEC

JJESD22반도체 소자의 시험 방법

일본 전자공업협회 표준규격 EIAJ 규격

EIAJ ED-4701 반도체 부품에 대한 환경 및 내구성 시험 방법

EIAJ ED-4702 표면실장 부품의 기계적 시험 방법

미국 군용 규격 MIL규격

MIL-STD-202 전기 & 전자 부품의 시험 방법

MIL-STD-750 반도체 소자의 시험 방법

MIL-STD-883 극소 전자 부품 시험 방법 및 절차

일본 공업 규격 JIS 규격

JIS C7021개별 반도체 소자의 환경시험 방법 및 내구성 시험방법

JIS C7030트랜지스터 측정 방법

JIS C7032트랜지스터 총칙

JIS C7210신뢰성 보증 개별 반도체 디바이스 통칙

신뢰성 보증 프로세스
  • 01
    상품전략수립
  • 02
    개발 가능성 검토
  • 03
    개발PP
  • 04
    신뢰성 평가 (비정기적)
  • 05
    개발완료
  • 06
    양산PP
  • 07
    신뢰성 평가(Lot Link)
  • 08
    양산(Start)
  • 09
    신뢰성 평가(정기)
  • 10
    제품출하
  • 비정기적 신뢰성

    개발품, 재료/공정/실비 변경 등의 해당 제품을 신뢰성
    측면에서 검증하기 위해 실시하는 평가(1,000Hr 평가)

  • Lot Link

    양산 시제품에 대해 양산성(유효성)을 확인하기
    위하여 실시하는 평가(168Hr 평가)

  • 정기 신뢰성

    양산 중인 제품에 대하여 신뢰성 측면의 품질을 확인,
    보증하기 위하여 정기적으로 실시하는 평가(1,000Hr 평가)