SiC Schottky Diodes
KEC의 SiC(Silicon Carbide) Shottky Barrier Diode은 차세대 전력 반도체로 역회복 전류(Reverse Recovery Currenet)와 스위칭 손실(Swiching Loss) 없어 뛰어난 성능을 보여주고 있습니다. KEC는 650V 부터 1200V 까지 폭넓은 포토폴리오를 갖추고 있어 UPS, Solar Inverter 그리고 EV Charging 등 다양한 Application에 적합한 SiC SBD를 제공하고 있습니다.
