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KEC, 인덕션 어플리케이션 최적화 된 고효율 역전도 IGBT 출시 

 

 비메모리 반도체 전문기업 KEC는 독자적인 트렌치 게이트 필드스톱(Trench Gate Field-stop) 기술을 적용한 역전도 다이오드를 단일결정으로 집적화한 1350V/25A 급 역전도(Reverse Conducting, RC) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)를 출시했다.

 

 새로운 R 시리즈 제품은 KEC IGBT의 성능을 한 단계 더 끌어올린 제품으로 인덕션 쿠킹을 비롯한 가정용에 사용되는 소프트 스위칭 어플리케이션 시스템에 최적화 되었다.

 

새로운 R 시리즈는 이전 세대 제품과 비교해서 스위칭 손실을 최고 25%까지 낮추고 다이오드 발열을 감소시켜 개발자들이 최대 20kHz에 이르는 더 높은 주파수를 이용 할 수 있게 되었다.

 

 뿐만 아니라 신제품을 적용한 시스템은 93%의 효율과 전력을 동시에 만족시켜주고,  시스템에 사용하는 인덕터를 소형화 할 수 있어 전체적인 시스템 비용을 낮출 수 있게 만들어 준다.

 

 신제품 R 시리즈는 최대 175℃의 높은 주위 온도에서도 전력손실을 줄이고 우수한 열 성능을 달성하며 또한 턴온(Turn-On)시 스파이크 전류를 이전 세대 대비 15% 낮춤으로써 시스템 내의 수동소자들에 대한 스트레스를 줄일 수 있으며 EMI 특성도 뛰어나 전반적으로 시스템 성능 및 신뢰성을 향상시킨다.

 

 KEC는 이번 1350V/25A급 R 시리즈 출시를 기반으로 15A, 20A, 30A 제품을 2017년 2분기부터 공급 할 예정이며 국내, 일본, 중국시장 공략에 적극 나설 계획이다. KEC 관계자는 R 시리즈 제품을 연간 1000만개 수준으로 대량 생산 할 계획이며 이를 통해 연간 약 350만 달러의 매출 증대 효과를 기대한다고 밝혔다.